Samsung 8GB Unbuffered CL15 SoDimm Single Rank Memory Module OEM M471A1K43BB0-CPB PC4-17000 DDR4-2133MHz Non-ECC 260-Pin 1.2V -

【Сумісність напруги】 Використовуючи електричні прилади, зверніть увагу, що вони розроблені відповідно до японських специфікацій напруги (90-110В), тому якщо ви використовуєте їх з іншою напругою, це може призвести до несправності.

【Тип вилки】 У наших продуктах використовуються японські типи вилок (Тип A або B). За потреби використовуйте перехідник.

【Важлива примітка щодо трансформаторів і адаптерів】 Трансформатор регулює напругу відповідно до вимог вашого пристрою. Адаптер-перехідник лише змінює форму вилки, але не регулює напругу. Використання лише перехідника без трансформатора може призвести до пошкодження виробу.

【Відповідальність】 Ми не несемо відповідальності за несправності або пошкодження, спричинені неправильним використанням, наприклад, використання виробу без трансформатора. Виробник: Samsung | Номер деталі: M471A1K43BB0-CPB | Cas: CL15. Тип пам'яті: SODIMM | Ємність: 8 ГБ | Шпильки: 260 шпильок | ранг: 1 ранг. Тип шини: ПК-17000 | Виправлення помилок: Не-ECC | Годинник пам'яті: 266 МГц Час циклу: 0,93 нс | Швидкість передачі даних: 2133 МГц | Напруга: 1.2. Модуль пам’яті поставляється лише в OEM упаковці – без роздрібної коробки. Samsung M471A1K43BB0 8GB 1Rx8 DDR4 SO-DIMM PC4-17000 2133MHz 260 Pin Non-ECC CL15 1.2V Модуль пам'яті ноутбука M471A1K43BB0-CPB. Модель: Номер деталі M471A1K43BB0: Сумісний номер деталі M471A1K43BB0-CPB: PC4-2133P-SA0-10 Ємність пам'яті: Тип пам'яті 8 ГБ: Контакти DDR4 SDRAM: Швидкість віджиму 260 Pin: Тип шини 2133 МГц: Ранг PC4-17000: Неодружений (1Rx8) CAS лат. ентність:CL15 Виправлення помилок (ECC): Напруга без ECC: Форм-фактор 1,2 В: Тип SO-DIMM: Пам'ять ноутбука